필수 공정 생략하니 '고품질 대면적 그래핀' 합성
필수 공정 생략하니 '고품질 대면적 그래핀' 합성
  • 박연수
  • 승인 2018.02.25 01:40
  • 조회수 4149
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국내 연구진이 새로운 고품질 대면적 그래핀 합성 기술을 개발했습니다. 충남대학교 윤순길 교수 연구팀이 타이타늄을 이용하여 저온에서의 신개념 그래핀 합성 기술을 보고했습니다. 이번 연구는 과학기술정보통신부·한국연구재단 기초연구사업(중견연구자) 지원으로 수행됐다고 해요. 나노 분야 권위 있는 국제학술지 <ACS Nano> 2월 1일에 게재됐어요.

 

그래핀 구조. 출처: 포토리아<br>
그래핀 구조. 출처: fotolia

꿈의 나노 물질로 불리는 그래핀은 전기전도도와 열 전도성이 높고 기계적 강도가 강합니다. 유연성과 투명성도 우수하죠. 그래핀은 이차전지, 디스플레이 등 다양하게 응용될 것으로 기대되며, 세계적으로 활발히 연구되고 있습니다.

 

그러나 일반적인 화학 증착법으로 그래핀을 합성할 때에는 반드시 다른 기판 위에 옮기는 전사공정이 수행되는 데 이 때 여러 문제가 발생합니다. 내부 결함, 그래핀 결정면의 영역 크기와 경계면의 제어의 어려움이 있습니다. 또한, 기판과의 접착 문제, 그래핀 표면에 발생한 주름으로 인한 특성 저하 등의 극복이 필요하죠. 참고로 화학증착법은 제조공정에서 원료 증기를 기판 위에 흐르게 하고 외부에너지를 가하여 박막을 형성하는 기술이에요.

 

(a) 타이타늄(Ti, 10 nm) 위에 저온에서 직접 성장된 그래핀 시뮬레이션 결과(b) 150 ℃ 저온에서 타이타늄 층위에 직접성장된 그래핀의 라만스펙트럼과 50 × 50 ㎛2 면적의 라만 맵핑 결과 : 저온에서 고품질의 그래핀이 성장된 것을 확인. 출처: 한국연구재단
(a) 타이타늄(Ti, 10 nm) 위에 저온에서 직접 성장된 그래핀 시뮬레이션 결과(b) 150 ℃ 저온에서 타이타늄 층위에 직접성장된 그래핀의 라만스펙트럼과 50 × 50 ㎛2 면적의 라만 맵핑 결과 : 저온에서 고품질의 그래핀이 성장된 것을 확인. 출처: 한국연구재단

연구팀은 타이타늄이 그래핀을 구성하는 탄소와 동일한 결정구조를 가지며 탄소와의 결합력도 우수한 점에 주목했습니다. 타이타늄으로 그래핀의 주름을 제거하는 연구성과를 활용해 10 nm(나노미터) 두께의 타이타늄 층 위에 그래핀을 합성하는 기술을 개발했죠. 특히 이번 기술은 150℃의 낮은 온도에서 고품질의 그래핀을 넓은 면적으로 합성할 수 있어 공정의 효율성과 응용 가능성을 크게 개선했습니다.

 

윤순길교수. 출처: 한국연구재단
윤순길교수. 출처: 한국연구재단

연구를 이끈 윤순길 교수는 "이 연구는 기존 그래핀 소재의 단점을 보완한 새로운 개념의 무결점, 대면적 그래핀을 직접적으로 성장시키는 제조기술을 개발한 것"이라며 "그래핀이 투명하고 유연한 전자소자에 응용될 뿐만 아니라 기존의 금, 구리 등 금속 전극을 대체할 수 있도록 기여할 것"이라고 연구의 의의를 설명했습니다.



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