우리 몸의 모든 전기신호 측정하는 시스템 세계 최초 개발
우리 몸의 모든 전기신호 측정하는 시스템 세계 최초 개발
  • 이웃집과학자
  • 승인 2022.06.07 22:31
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(위에서 부터)이정협 전기전자컴퓨터공학과 교수 및 이세환 박사. 출처 : DGIST
(위에서 부터)이정협 전기전자컴퓨터공학과 교수 및 이세환 박사. 출처 : DGIST

DGIST 전기전자컴퓨터공학과 이정협 교수팀이 모든 생체 전기신호 획득이 가능한 아날로그-디지털 신호 변환 집적회로 시스템’을 세계 최초 개발 성공했습니다. 개발된 기술은 강한 외부 잡음이 있는 환경에서도 인체에서 발생하는 전기 신호를 정밀 측정 가능해 미래 기술로 각광받는 뇌-기계 인터페이스(Brain Machine Interface) 기술 및 초소형 고성능 의료기기와 같은 의료-헬스 케어 분야 등 다양한 어플리케이션에 적용이 기대됩니다.

 

생체에서 발생하는 전기신호는 심장에서 발생하는 심전도(ECG), 뇌의 뇌전도(EEG), 신경전도(ENG) 등 매우 다양하며 각 신호에 따라 다른 신호 특징을 가지는데요. 예를 들면, 뇌전도의 경우 그 신호 크기가 1마이크로볼트 수준으로 매우 작습니다. 반면, 신경전도의 경우 다른 신호에 비해 신호가 차지하는 주파수의 범위가 매우 넓어 약 10배 이상의 대역폭이 필요합니다. 이와 같은 차이로 인해 현재까지 개발된 생체신호 측정 기술은 잡음이 거의 없는 안정된 환경에서 특정 신호만 획득이 가능했으며, 기술 분야로의 확대 및 적용도 어려웠습니다.

 

이에 이정협 교수팀은 세계 최초로 측정 신호보다 최대 몇 만배 이상 큰 전기 자극 간섭과 피측정자의 움직임에 의해 발생할 수 있는 움직임 아티팩트(Motion artifact)* 등이 존재하는 매우 열악한 환경에서도 모든 생체 전기신호의 측정이 가능한 ‘아날로그-디지털 신호 변환 시스템’ 개발에 성공했습니다. 이 시스템은 반도체 IC(집적회로)로 구현되어 초저전력, 초소형일 뿐만 아니라 범용성을 가지고 있어 다양한 어플리케이션 적용이 매우 용이합니다.

*움직임 아티팩트(Motion artifact) : 피검사자의 움직임으로 인해 불필요한 형상이나 잔상 등 실제로 없는 신호가 발생하는 현상

 

이정협 교수팀은 본 시스템 개발 성공을 위해 ‘연속시간 델타-시그마 변환 기술’을 바탕으로 저잡음 고선형성 회로 기술을 제안했습니다. 또한, 기생 성분에 강인한 입력 임피던스 증가 회로 기법을 새롭게 개발했는데요. 그 결과, 현존하는 세계 최고 생체신호 측정 기술 대비 3배 이상 성능 개선을 확인, 세계 최고 성능을 인증 받았습니다.

Chip micrograph. 최종 결과물인 ‘모든 생체 전기신호 획득이 가능한 아날로그-디지털 신호 변환 집적회로 시스템’의 현미경 사진을 보여준다. 반도체 공정으로 제작되었으며 전체 시스템 크기는 약 0.1mm2에 불과하다. 출처 : DGIST
Chip micrograph. 최종 결과물인 ‘모든 생체 전기신호 획득이 가능한 아날로그-디지털 신호 변환 집적회로 시스템’의 현미경 사진을 보여준다. 반도체 공정으로 제작되었으며 전체 시스템 크기는 약 0.1mm2에 불과하다. 출처 : DGIST

DGIST 전기전자컴퓨터공학과 이정협 교수는 “이번 연구는 다양한 생체 신호를 하나의 반도체 IC(집적회로) 시스템으로 정밀 측정이 가능케 함으로써 기존 관련 의료 기기의 초소형화 및 고성능화에 큰 도움을 줄 수 있는 기술”이라며 “향후 미래 기술로 각광 받고 있는 차세대 뇌-기계 인터페이스, 초소형 웨어러블 진단기기 및 전자약 등 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하다” 고 말했습니다.

 

이번 연구 성과는 ‘반도체 올림픽’으로 일컬어지는 반도체 분야 학회인 국제고체회로학회(International Solid-State Circuit Conference, ISSCC)에 2월에 발표됐습니다.

논문명 : A 0.7V 17fJ/step-FOMW 178.1dB-FOMSNDR 10kHz-BW 560mVPP True-ExG Biopotential Acquisition System with Parasitic-Insensitive 421MΩ Input-Impedance in 0.18μm-CMOS


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