현존 최고층 238단 낸드플래시 개발
현존 최고층 238단 낸드플래시 개발
  • 함예솔
  • 승인 2022.09.11 18:37
  • 조회수 3828
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SK하이닉스가 개발한 238단 512Gb TLC 4D 낸드플래시. 출처: SK하이닉스
SK하이닉스가 개발한 238단 512Gb TLC 4D 낸드플래시. 출처: SK하이닉스

SK하이닉스가 현존 최고층 238단 낸드를 개발했습니다.

SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했습니다. 내년 상반기 양산에 들어갈 계획입니다. SK 관계자는 "2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다"며 "특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다"고 밝혔습니다.

 

낸드플래시란?

메모리반도체의 한 종류입니다. 데이터를 반영구적으로 저장합니다. 자유롭게 기록을 지우거나 다시 기록할 수 있으며 전원이 꺼지면 기록이 사라지는 D램이나 S램과 달리 전원 없는 상태에서도 데이터가 계속 저장되는 비휘발성메모리입니다. 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉩니다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있습니다.

SK하이닉스는 지난 달 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2022'에서 해당 모델을 공개했습니다. SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 "당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다"며 "앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것"이라고 강조했습니다.

SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔습니다. 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 SK하이닉스 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용했습니다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율은 높아집니다.

전하를 도체(①)에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체(②)에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술입니다. 플로팅게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징입니다.
주변부(Peri.) 회로를 셀 회로 하단부에 배치해 생산효율을 극대화하는 기술입니다.

이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌습니다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문입니다.

한편, 글로벌 플래시 메모리 시장은 2021년 640억 달러 이상이 될 것으로 집계됩니다. 

글로벌 플래시 메모리 시장 규모. 출처: 스태티스타
글로벌 플래시 메모리 시장 규모. 출처: 스태티스타

 


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